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IPS70R950CEAKMA1

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Pièce du fabricant
IPS70R950CEAKMA1
Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
En stock
15602
Fiches techniques en ligne
IPS70R950CEAKMA1 PDF
  • série:CoolMOS™
  • forfait:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):700 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7.4A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:950mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 150µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:15.3 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:328 pF @ 100 V
  • fonction fet:Super Junction
  • puissance dissipée (max):68W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO251
  • paquet / caisse:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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