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BSC110N06NS3GATMA1

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Pièce du fabricant
BSC110N06NS3GATMA1
Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
En stock
13235
Fiches techniques en ligne
BSC110N06NS3GATMA1 PDF
  • série:OptiMOS™
  • forfait:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:11mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 23µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-5
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
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