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IPN80R4K5P7ATMA1

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Pièce du fabricant
IPN80R4K5P7ATMA1
Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
En stock
11533
Fiches techniques en ligne
IPN80R4K5P7ATMA1 PDF
  • série:CoolMOS™ P7
  • forfait:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):800 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.5A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.5Ohm @ 400mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 20µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:80 pF @ 500 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):6W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223
  • paquet / caisse:TO-261-3
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